一、氮化硅、氮化铝的导热系数是多少？在网上搜索的答案差别太大了，那位大师知道！！！！
%3D1 导热材料导热系数表
二、什么是氮化铝陶瓷电路板？
氮化铝陶瓷是一种以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷材料，再在氮化铝陶瓷基片上面蚀刻金属电路，就是氮化铝陶瓷基板了。
1、氮化铝陶瓷英文：AluminiumNitrideCeramic，是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。
2、AIN晶体以（AIN4）四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。
3、化学组成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。
4、氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料，热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。
5、多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的高温。
6、氮化铝陶瓷具有极好的耐侵蚀性。
陶瓷电路板具有良好的高频性能和电学性能，且具有热导率高、化学稳定性和热稳定性优良等有机基板不具备的性能，是新一代大规模集成电路以及功率电子模块的理想封装材料。近年来斯利通陶瓷电路板得到了广泛的关注和迅速发展。
三、氮化铝（A1N）具有耐高温、抗冲击、导热性好等优良性质，被广泛应用于大规模集成电路生产、陶瓷工业等领
（1）金属材料是指金属单质或合金，最少需要有一种金属单质，而氮化铝陶瓷中没有金属单质，所以属于无机非金属材料；
（2）空气中各成分及体积分数为：氮气：78%、氧气：21%、稀有气体：0.94%、二氧化碳0.03%、水蒸气和杂质：0.03%．除去二氧化碳和水蒸气的空气主要是液态氧和液态氮，而液态氮的沸点比液态氧的沸点低，所以氮气先出来；
（3） 根据质量守恒定律可知反应前后元素种类不变，生成物为A1N和CO，而反应物中只有氮、碳元素，所以还缺少铝和氧，即氧化铝；
（4）地壳中含量最多的前五种元素是；氧、硅、铝、铁、钙．所以铝占第3位，不使用铝制的饮料瓶或餐具等．
故答案为：（1）B；
（2）78%；氮气；
（3）Al 2 O 3 ；Al 2 O 3 +N 2 +3C═2AlN+3CO；
（4）3；不用铝制易拉罐．
四、氮元素铝元素硅元素组成的物质的化学式
氮元素的化学名称是N
组成的气体是N2 氮气
铝是活跃金属单质
组成的单质是Al 在自然界中存在时最外层存在三氧化二铝 这是一层致密的氧化膜 阻止铝被氧化。
硅是典型的非金属物质
组成的单质是Si 一般在自然界中存在的是Si的氧化物 二氧化硅 就是沙子的主要组成物。
五、7. 氮化铝、氮化硼、碳化硅在化学键合和晶体结构上有什么共同点？200-300字？
AlN是原子晶体，属类金刚石氮化物，最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成，产物为白色到灰蓝色粉末。或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成，产物为灰白色粉末。或氯化铝与氨经气相反应制得.涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成。
AlN+3H2O==催化剂===Al（OH）3↓+NH3↑物质特性CBN通常为黑色、棕色或暗红色晶体，为闪锌矿结构，具氮化硼有良好的导热性。硬度仅次于金刚石，是一种超硬材料，常用作刀具材料和磨料。[2] 氮化硼具有抗化学侵蚀性质，不被无机酸和水侵蚀。在热浓碱中硼氮键被断开。1200℃以上开始在空气中氧化。熔点为3000℃，稍低于3000℃时开始升华。真空时约2700℃开始分解。微溶于热酸，不溶于冷水，相对密度2.25。压缩强度为170MPa。在氧化气氛下最高使用温度为900℃，而在非活性还原气氛下可达2800℃，但在常温下润滑性能较差。碳化硼的大部分性能比碳素材料更优。对于六方氮化硼：摩擦系数很低、高温稳定性很好、耐热震性很好、强度很高、导热系数很高、膨胀系数较低、电阻率很大、耐腐蚀、可透微波或透红外线。物质结构氮化硼六方晶系结晶，最常见为石墨晶格，也有无定形变体，除了六方晶型以外，碳化硼还有其他晶型，包括：菱方氮化硼(简称：r—BN，或称：三方氮化硼，其结构类似于h—BN，会在h—BN转化为c—BN的过程中产生)、立方氮化硼[简称：c—BN，或|3一BN，或z-BN(即闪锌矿型氮化硼)，质地非常坚硬]、纤锌矿型氮化硼(简称：w—BN，h—BN高压下的一种坚硬状态)。人们甚至还发现像石墨稀一样的二维氮化硼晶体(类似的还有MoS：二维晶体)。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。低品级碳化硅（含SiC约85%）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为最常见的一种同质异晶物，在高于2000 °C高温下形成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）。β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在低于2000 °C生成，结构如页面附图所示。虽然在异相触媒担体的应用上，因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目，但直至今日，此型态尚未有商业上之应用。因其3.2g/cm3的比重及较高的升华温度（约2700 °C），碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，且具有相当低的化学活性。由于其高热导性、高崩溃电场强度及高最大电流密度，在半导体高功率元件的应用上，不少人试着用它来取代硅[1]。此外，它与微波辐射有很强的耦合作用，并其所有之高升华点，使其可实际应用于加热金属。纯碳化硅为无色，而工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物。晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致。物质结构 纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。[1] 碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC（称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。碳化硅的工业制法是用优质石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块，经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。
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